Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | GSID600A120S4B1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 1130A |
| Leistung max | 3060W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 600A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 51nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GSID600A120S4B1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 0 | Einzelheiten |