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Diodes Incorporated ~ ZXMN3A01FTA

Artikelnummer	ZXMN3A01FTA
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	3.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	190pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	625mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
ZXMN0545FFTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 450V SOT23F-3	-	0	Einzelheiten
ZXMN0545G4TA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223	-	19000	Einzelheiten
ZXMN10A07FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3	-	3000	Einzelheiten
ZXMN10A07FTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3	-	0	Einzelheiten
ZXMN10A07ZTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89	-	5000	Einzelheiten
ZXMN10A08DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC	-	0	Einzelheiten
ZXMN10A08DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC	-	0	Einzelheiten
ZXMN10A08E6TA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6	-	0	Einzelheiten
ZXMN10A08E6TC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6	-	0	Einzelheiten
ZXMN10A08GTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 2A SOT223	-	106000	Einzelheiten
ZXMN10A09KTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 5A DPAK	-	0	Einzelheiten
ZXMN10A11GTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223		0	Einzelheiten