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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | ZXMN10A08DN8TC |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 50V |
| Leistung max | 1.25W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | - | 3000 | Einzelheiten |
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ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | - | 5000 | Einzelheiten |
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ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 | - | 106000 | Einzelheiten |
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ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | 0 | Einzelheiten | |
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ZXMN10A11GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | 0 | Einzelheiten | |
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ZXMN10A11K | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |