CDBDSC5650-G

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
CDBDSC5650-G P1
CDBDSC5650-G P1
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Comchip Technology ~ CDBDSC5650-G

Artikelnummer
CDBDSC5650-G
Hersteller
Comchip Technology
Beschreibung
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer CDBDSC5650-G
Teilstatus Active
Dioden-Typ Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 21.5A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 5A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 100µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F 424pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252)
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 175°C

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