TC58NVG0S3HTAI0

IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
TC58NVG0S3HTAI0 P1
TC58NVG0S3HTAI0 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TC58NVG0S3HTAI0

Một phần số
TC58NVG0S3HTAI0
nhà chế tạo
Toshiba Semiconductor and Storage
Sự miêu tả
IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- TC58NVG0S3HTAI0 PDF online browsing
gia đình
Ký ức
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số TC58NVG0S3HTAI0
Trạng thái phần Active
Loại bộ nhớ Non-Volatile
Định dạng bộ nhớ EEPROM
Công nghệ EEPROM - NAND
Kích thước bộ nhớ 1Gb (128M x 8)
Tần số đồng hồ -
Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang 25ns
Thời gian truy cập 25ns
Giao diện bộ nhớ Parallel
Cung cấp điện áp 2.7 V ~ 3.6 V
Nhiệt độ hoạt động -40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Gói Thiết bị Nhà cung cấp 48-TSOP I

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm