TC58NVG0S3HTAI0

IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
TC58NVG0S3HTAI0 P1
TC58NVG0S3HTAI0 P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TC58NVG0S3HTAI0

Número de pieza
TC58NVG0S3HTAI0
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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Número de pieza TC58NVG0S3HTAI0
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria EEPROM
Tecnología EEPROM - NAND
Tamaño de la memoria 1Gb (128M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 25ns
Tiempo de acceso 25ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 48-TSOP I

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