Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | GA200-015WD |
|---|---|
| Trạng thái phần | Obsolete |
| Loại áp suất | Differential |
| Áp lực vận hành | 0.54 PSI (3.74 kPa) |
| Loại đầu ra | Analog Voltage |
| Đầu ra | 0.25 V ~ 4 V |
| Độ chính xác | ±0.5% |
| Cung cấp điện áp | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Kích thước cổng | Male - 0.13" (3.23mm) Tube, Dual |
| Kiểu cổng | Barbed |
| Tính năng, đặc điểm | Amplified Output, Temperature Compensated |
| Kiểu chấm dứt | PCB |
| Áp suất tối đa | 10 PSI (68.95 kPa) |
| Nhiệt độ hoạt động | -25°C ~ 80°C |
| Gói / Trường hợp | 3-SIP Module |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | - |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GA200-001PD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB | 0 | Chi tiết | |
 |
GA200-005WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP | 0 | Chi tiết | |
 |
GA200-010WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP | 0 | Chi tiết | |
 |
GA200-015WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP | 0 | Chi tiết | |
 |
GA200SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT STD 600V 100A SOT227 | 0 | Chi tiết | |
 |
GA200SA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT UFAST 600V 100A SOT227 | 0 | Chi tiết | |
 |
GA201AE3 | Microsemi Corporation | SCR | - | 1337 | Chi tiết |
 |
GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.2KV 20A | 0 | Chi tiết | |
 |
GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A | 263 | Chi tiết | |
 |
GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A TO247 | 0 | Chi tiết | |
 |
GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor | SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV | 90 | Chi tiết |