GA20JT12-247

TRANS SJT 1.2KV 20A
GA20JT12-247 P1
GA20JT12-247 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

GeneSiC Semiconductor ~ GA20JT12-247

Một phần số
GA20JT12-247
nhà chế tạo
GeneSiC Semiconductor
Sự miêu tả
TRANS SJT 1.2KV 20A
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
GA20JT12-247.pdf GA20JT12-247 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số GA20JT12-247
Trạng thái phần Active
Loại FET -
Công nghệ SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 1200V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs -
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Tối đa) -
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 282W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 20A
Nhiệt độ hoạt động 175°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói Thiết bị Nhà cung cấp TO-247AB
Gói / Trường hợp TO-247-3

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm