Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | SPB21N50C3ATMA1 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Not For New Designs |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 560V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 208W (Tc) |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PG-TO263-3-2 |
| Gói / Trường hợp | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPB21N10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | 0 | Chi tiết | |
 |
SPB21N10 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | 0 | Chi tiết | |
 |
SPB21N10T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | - | 0 | Chi tiết |
 |
SPB21N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 21A TO-263 | - | 1000 | Chi tiết |
 |
SPB21N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 21A TO-263 | - | 29881 | Chi tiết |