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| Numero di parte | SPB21N50C3ATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SPB21N10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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SPB21N10 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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SPB21N10T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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SPB21N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 21A TO-263 | - | 1000 | Dettagli |
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SPB21N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 21A TO-263 | - | 29881 | Dettagli |