Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | IDC05S60CEX1SA1 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Obsolete |
| Loại Diode | Silicon Carbide Schottky |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 5A (DC) |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.7V @ 5A |
| Tốc độ | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 0ns |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 70µA @ 600V |
| Điện dung @ Vr, F | 240pF @ 1V, 1MHz |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | Die |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | Die |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDC05S120C5X1SA1 | Infineon Technologies | IC DIODE EMITTER CTLR WAFER | - | 0 | Chi tiết |
|
IDC05S60CEX1SA1 | Infineon Technologies | DIODE SIC 600V 5A SAWN WAFER | 0 | Chi tiết |