Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | IDC05S60CEX1SA1 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 5A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 70µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 240pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDC05S120C5X1SA1 | Infineon Technologies | IC DIODE EMITTER CTLR WAFER | - | 0 | Dettagli |
|
IDC05S60CEX1SA1 | Infineon Technologies | DIODE SIC 600V 5A SAWN WAFER | 0 | Dettagli |