BSZ0904NSIATMA1

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
BSZ0904NSIATMA1 P1
BSZ0904NSIATMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ BSZ0904NSIATMA1

Một phần số
BSZ0904NSIATMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- BSZ0904NSIATMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số BSZ0904NSIATMA1
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Vgs (Tối đa) ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1463pF @ 15V
Tính năng FET Schottky Diode (Body)
Công suất Tối đa (Tối đa) 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TSDSON-8-FL
Gói / Trường hợp 8-PowerTDFN

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm