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| Numero di parte | BSZ0904NSIATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1463pF @ 15V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 37W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | - | 5000 | Dettagli |
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BSZ0901NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | - | 138513 | Dettagli |
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BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | - | 0 | Dettagli |
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BSZ0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | - | 124184 | Dettagli |
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BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | - | 5000 | Dettagli |
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BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | - | 171492 | Dettagli |
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BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | - | 0 | Dettagli |
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BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | - | 148180 | Dettagli |
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BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | - | 878 | Dettagli |
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BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | - | 186736 | Dettagli |
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BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON | 5000 | Dettagli | |
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BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON | - | 0 | Dettagli |