1N4448TR

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
1N4448TR P1
1N4448TR P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ 1N4448TR

Parça numarası
1N4448TR
Üretici firma
Vishay Semiconductor Diodes Division
Açıklama
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- 1N4448TR PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Doğrultucular - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası 1N4448TR
Parça Durumu Active
Diyot Türü Standard
Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) 100V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 150mA
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1V @ 100mA
hız Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Geri Tutma Süresi (trr) 8ns
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 5µA @ 75V
Kapasitans @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz
Montaj tipi Through Hole
Paket / Durum DO-204AH, DO-35, Axial
Tedarikçi Aygıt Paketi DO-35
Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı 175°C (Max)

ilgili ürünler

Tüm ürünler