Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | TC58CVG2S0HRAIG |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Bellek Türü | Non-Volatile |
| Bellek Biçimi | FLASH |
| teknoloji | FLASH - NAND |
| Hafıza boyutu | 4Gb (512M x 8) |
| Saat Frekansı | 104MHz |
| Yaz Döngüsü Zamanı - Word, Sayfa | - |
| Erişim süresi | 280µs |
| Bellek Arabirimi | SPI - Quad I/O |
| Gerilim - besleme | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | 8-WDFN Exposed Pad |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 8-WSON (6x8) |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TC58CVG0S3HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | 1 | ayrıntılar | |
 |
TC58CVG0S3HRAIG | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V | 0 | ayrıntılar | |
 |
TC58CVG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V | - | 11128 | ayrıntılar |
 |
TC58CVG2S0HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V | 0 | ayrıntılar | |
 |
TC58CVG2S0HRAIG | Toshiba Semiconductor and Storage | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V | 0 | ayrıntılar | |
 |
TC58CYG0S3HQAIE | Toshiba Semiconductor and Storage | 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V | 43 | ayrıntılar | |
|
TC58CYG0S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | - | 14136 | ayrıntılar |
|
TC58CYG1S3HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | - | 11128 | ayrıntılar |
|
TC58CYG2S0HRAIG | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V | - | 9763 | ayrıntılar |