Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | JANTX2N4859 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| Gerilim - Arıza (V (BR) GSS) | 30V |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - Drenaj (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 175mA @ 15V |
| Akım Boşaltma (Id) - Max | - |
| Voltaj - Kesme (VGS kapalı) @ Id | 10V @ 500pA |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V (VGS) |
| Direnç - RDS (Açık) | 25 Ohm |
| Maksimum güç | 360mW |
| Çalışma sıcaklığı | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Paket / Durum | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-18 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | ayrıntılar |