IXT-1-1N100S1

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
IXT-1-1N100S1 P1
IXT-1-1N100S1 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

IXYS ~ IXT-1-1N100S1

Parça numarası
IXT-1-1N100S1
Üretici firma
IXYS
Açıklama
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- IXT-1-1N100S1 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası IXT-1-1N100S1
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 1000V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 1.5A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Maks.) -
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) -
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs -
Çalışma sıcaklığı -
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi 8-SOIC
Paket / Durum 8-SOIC

ilgili ürünler

Tüm ürünler