Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IXFN50N120SK |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 1200V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 48A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 20V |
| Vgs (Maks.) | +20V, -5V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1895pF @ 1000V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | - |
| Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Chassis Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | SOT-227B |
| Paket / Durum | SOT-227-4, miniBLOC |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN100N10S1 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IXFN100N10S2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IXFN100N10S3 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IXFN100N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IXFN100N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B | - | 2827 | ayrıntılar |
 |
IXFN100N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B | - | 85 | ayrıntılar |
 |
IXFN100N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 | 19 | ayrıntılar | |
 |
IXFN100N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 3058 | ayrıntılar |
 |
IXFN102N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B | 0 | ayrıntılar | |
 |
IXFN106N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B | - | 88 | ayrıntılar |
 |
IXFN110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 | 300 | ayrıntılar | |
 |
IXFN110N85X | IXYS | 850V/110A ULT JUNCT X-CLASS HIPE | 2 | ayrıntılar |