Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | FS45MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Özelliği | Silicon Carbide (SiC) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 1200V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 25A (Tj) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 15V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 800V |
| Maksimum güç | 20mW (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Chassis Mount |
| Paket / Durum | Module |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | AG-EASY1BM-2 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FS45MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MODULE 1200V 50A | - | 469 | ayrıntılar |