Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ BSC052N03LS

Parça numarası	BSC052N03LS
Parça Durumu	Active
FET Tipi	N-Channel
teknoloji	MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss)	30V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)	17A (Ta), 57A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds	770pF @ 15V
Vgs (Maks.)	±20V
FET Özelliği	-
Güç Dağılımı (Maks.)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs	5.2 mOhm @ 30A, 10V
Çalışma sıcaklığı	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi	Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi	PG-TDSON-8
Paket / Durum	8-PowerTDFN

Parça numarası	Üreticiler	Açıklama	PDF	Stokta var	Görünüm
BSC007N04LS6ATMA1	Infineon Technologies	TRENCH 40V	-	48055	ayrıntılar
BSC009NE2LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8	-	0	ayrıntılar
BSC009NE2LS5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON		0	ayrıntılar
BSC009NE2LS5IATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND		5000	ayrıntılar
BSC009NE2LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8	-	67757	ayrıntılar
BSC010N04LS6ATMA1	Infineon Technologies	TRENCH 40V	-	56873	ayrıntılar
BSC010N04LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8	-	20000	ayrıntılar
BSC010N04LSCATMA1	Infineon Technologies	DIFFERENTIATED MOSFETS	-	60854	ayrıntılar
BSC010N04LSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON		15000	ayrıntılar
BSC010N04LSTATMA1	Infineon Technologies	DIFFERENTIATED MOSFETS	-	48933	ayrıntılar
BSC010NE2LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8	-	35000	ayrıntılar
BSC010NE2LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8	-	87725	ayrıntılar