TK100E10N1,S1X

MOSFET N-CH 100V 100A TO220
TK100E10N1,S1X P1
TK100E10N1,S1X P2
TK100E10N1,S1X P1
TK100E10N1,S1X P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK100E10N1,S1X

номер части
TK100E10N1,S1X
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TK100E10N1,S1X PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TK100E10N1,S1X
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 140nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 8800pF @ 50V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 255W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220
Упаковка / чехол TO-220-3

сопутствующие товары

Все продукты