TK100A08N1,S4X

MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
TK100A08N1,S4X P1
TK100A08N1,S4X P2
TK100A08N1,S4X P1
TK100A08N1,S4X P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK100A08N1,S4X

номер части
TK100A08N1,S4X
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TK100A08N1,S4X PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TK100A08N1,S4X
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 130nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 9000pF @ 40V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 45W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220SIS
Упаковка / чехол TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

сопутствующие товары

Все продукты