| номер части | 1SS367,H3F |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 10V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 100mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 500mV @ 100mA |
| скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 20µA @ 10V |
| Емкость @ Vr, F | 40pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SC-76, SOD-323 |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Рабочая температура - Соединение | 125°C (Max) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1SS300,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM | - | 0 | подробности |
 |
1SS301,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM | - | 0 | подробности |
 |
1SS301SU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70 | - | 0 | подробности |
 |
1SS302A,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SW 80V 100MA USM SC70 | 0 | подробности | |
 |
1SS302TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70 | - | 6000 | подробности |
 |
1SS306TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC61B | - | 0 | подробности |
 |
1SS307(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI | - | 0 | подробности |
 |
1SS307E,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SW GP 80V 100MA ESC | 9628 | подробности | |
 |
1SS308(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A | - | 0 | подробности |
 |
1SS309(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV | - | 6000 | подробности |
 |
1SS315TPH3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC | 9060 | подробности | |
 |
1SS319(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B | - | 9000 | подробности |
