| номер части | 2SK545-11D-TB-E |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Напряжение - пробой (V (BR) GSS) | - |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
| Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 60µA @ 10V |
| Текущий слив (Id) - Макс. | 1mA |
| Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id | 1.5V @ 1µA |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1.7pF @ 10V |
| Сопротивление - RDS (Вкл.) | - |
| Мощность - макс. | 125mW |
| Рабочая Температура | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Пакет устройств поставщика | 3-CP |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK545-11D-TB-E | ON Semiconductor | JFET N-CH 1MA 125MW CP | - | 1230000 | подробности |
