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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | 2SK545-11D-TB-E |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS） | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - ドレイン（Idss）Vds（Vgs = 0） | 60µA @ 10V |
| 電流ドレイン（Id） - 最大 | 1mA |
| 電圧 - カットオフ（VGSオフ）@ Id | 1.5V @ 1µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1.7pF @ 10V |
| 抵抗 - RDS（オン） | - |
| 電力 - 最大 | 125mW |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 3-CP |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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2SK545-11D-TB-E | ON Semiconductor | JFET N-CH 1MA 125MW CP | - | 1230000 | 詳細 |