| номер части | BAS316/DG/B3,135 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 100V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 250mA (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.25V @ 150mA |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 4ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 500nA @ 80V |
| Емкость @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB |
| Рабочая температура - Соединение | 150°C (Max) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAS316 RRG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 250MA SOD323 | - | 1756739 | подробности |
 |
BAS316,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | 0 | подробности | |
 |
BAS316,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | 0 | подробности | |
|
BAS316,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC | - | 2152293 | подробности |
 |
BAS316-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | - | 0 | подробности |
|
BAS316/DG/B3,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 | - | 396 | подробности |
|
BAS316/DG/B3,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 | - | 396 | подробности |
 |
BAS316/ZLF | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | - | 0 | подробности |
 |
BAS316/ZLX | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | - | 0 | подробности |
|
BAS316WS RRG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 250MA SOD323F | - | 1756739 | подробности |
 |
BAS316Z | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SC76-2 | 0 | подробности |
