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| Número de pieza | BAS316/DG/B3,135 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 250mA (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 80V |
| Capacitancia @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-236AB |
| Temperatura de funcionamiento - unión | 150°C (Max) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BAS316 RRG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 250MA SOD323 | - | 1756739 | Detalles |
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BAS316,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | 0 | Detalles | |
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BAS316,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | 0 | Detalles | |
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BAS316,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC | - | 2152293 | Detalles |
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BAS316-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | - | 0 | Detalles |
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BAS316/DG/B3,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 | - | 396 | Detalles |
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BAS316/DG/B3,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 | - | 396 | Detalles |
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BAS316/ZLF | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | - | 0 | Detalles |
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BAS316/ZLX | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | - | 0 | Detalles |
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BAS316WS RRG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 250MA SOD323F | - | 1756739 | Detalles |
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BAS316Z | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SC76-2 | 0 | Detalles |