Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Global Power Technologies Group ~ GSID200A120S3B1

номер части: GSID200A120S3B1
производитель: Global Power Technologies Group
Описание: SILICON IGBT MODULES
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: GSID200A120S3B1.pdf GSID200A120S3B1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - IGBT - Модули

номер части	GSID200A120S3B1
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	2 Independent
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	400A
Мощность - макс.	1595W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	20nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	D-3 Module
Пакет устройств поставщика	D3

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
GSID200A120S3B1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	0	подробности
GSID200A120S5C1	Global Power Technologies Group	IGBT MODULE 1200V 335A	9	подробности
GSID200A170S3B1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	0	подробности