| номер части | ZXMN6A08GTA |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.8A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 459pF @ 40V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 |
| Упаковка / чехол | TO-261-4, TO-261AA |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN0545FFTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 | - | 0 | подробности |
 |
ZXMN0545G4TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 | - | 19000 | подробности |
 |
ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | - | 3000 | подробности |
 |
ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | - | 0 | подробности |
 |
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | - | 5000 | подробности |
 |
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC | - | 0 | подробности |
 |
ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 | - | 0 | подробности |
 |
ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 | - | 0 | подробности |
 |
ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 | - | 106000 | подробности |
 |
ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK | - | 0 | подробности |
 |
ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | 0 | подробности |
