ZXMN6A08GTA

MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
ZXMN6A08GTA P1
ZXMN6A08GTA P2
ZXMN6A08GTA P1
ZXMN6A08GTA P2
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Diodes Incorporated ~ ZXMN6A08GTA

Numero di parte
ZXMN6A08GTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte ZXMN6A08GTA
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 459pF @ 40V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 4.8A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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