GT10G131(TE12L,Q)

IGBT 400V 1W 8-SOIC
GT10G131(TE12L,Q) P1
GT10G131(TE12L,Q) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ GT10G131(TE12L,Q)

부품 번호
GT10G131(TE12L,Q)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
IGBT 400V 1W 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - IGBT - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 GT10G131(TE12L,Q)
부품 상태 Obsolete
IGBT 형 -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 400V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) -
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 200A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.3V @ 4V, 200A
전력 - 최대 1W
스위칭 에너지 -
입력 유형 Standard
게이트 차지 -
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 3.1µs/2µs
시험 조건 -
역 회복 시간 (trr) -
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급 업체 장치 패키지 8-SOP (5.5x6.0)

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