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| 品番 | SSM6J214FE(TE85L,F |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 50 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.2V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 7.9nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 560pF @ 15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 500mW (Ta) |
| 動作温度 | 150°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | ES6 |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM6J206FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2A ES6 | 4000 | 詳細 | |
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SSM6J207FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 | - | 0 | 詳細 |
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SSM6J212FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 | - | 0 | 詳細 |
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SSM6J213FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 | - | 4000 | 詳細 |
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SSM6J214FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH | - | 623675 | 詳細 |
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SSM6J215FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 | - | 12000 | 詳細 |
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SSM6J216FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 | - | 498940 | 詳細 |