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| Número de pieza | SSM6J214FE(TE85L,F |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ES6 |
| Paquete / caja | SOT-563, SOT-666 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM6J206FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2A ES6 | 4000 | Detalles | |
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SSM6J207FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 | - | 0 | Detalles |
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SSM6J212FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 | - | 0 | Detalles |
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SSM6J213FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 | - | 4000 | Detalles |
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SSM6J214FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH | - | 623675 | Detalles |
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SSM6J215FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 | - | 12000 | Detalles |
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SSM6J216FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 | - | 498940 | Detalles |