SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
SSM6H19NU,LF P1
SSM6H19NU,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6H19NU,LF

品番
SSM6H19NU,LF
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- SSM6H19NU,LF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 SSM6H19NU,LF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.8V, 8V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.2V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 2.2nC @ 4.2V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 130pF @ 10V
Vgs(最大) ±12V
FET機能 -
消費電力(最大) 1W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 185 mOhm @ 1A, 8V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 6-UDFN (2x2)
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad

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