PMDPB56XN,115

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
PMDPB56XN,115 P1
PMDPB56XN,115 P1
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NXP USA Inc. ~ PMDPB56XN,115

品番
PMDPB56XN,115
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- PMDPB56XN,115 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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品番 PMDPB56XN,115
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.1A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 2.9nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 170pF @ 15V
電力 - 最大 510mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ DFN2020-6

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