PMDPB58UPE,115

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
PMDPB58UPE,115 P1
PMDPB58UPE,115 P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMDPB58UPE,115

品番
PMDPB58UPE,115
メーカー
Nexperia USA Inc.
説明
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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品番 PMDPB58UPE,115
部品ステータス Active
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.6A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 67 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 950mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 9.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 804pF @ 10V
電力 - 最大 515mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ DFN2020-6

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