APT10035B2FLLG

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
APT10035B2FLLG P1
APT10035B2FLLG P1
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Microsemi Corporation ~ APT10035B2FLLG

品番
APT10035B2FLLG
メーカー
Microsemi Corporation
説明
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- APT10035B2FLLG PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 APT10035B2FLLG
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 28A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 2.5mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 186nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5185pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 690W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 370 mOhm @ 14A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ T-MAX™ [B2]
パッケージ/ケース TO-247-3 Variant

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