APT1002RBNG

MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
APT1002RBNG P1
APT1002RBNG P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Microsemi Corporation ~ APT1002RBNG

品番
APT1002RBNG
メーカー
Microsemi Corporation
説明
MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 APT1002RBNG
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 105nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1800pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 240W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.6 Ohm @ 4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD
パッケージ/ケース TO-247-3

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