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| 品番 | MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FRAM |
| 技術 | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| メモリー容量 | 4Mb (256K x 16) |
| クロック周波数 | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 150ns |
| アクセス時間 | 150ns |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 44-TSOP |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MB85R4001ANC-GE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 4MBIT 150NS 48TSOP | 0 | 詳細 | |
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MB85R4002ANC-GE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 4MBIT 150NS 48TSOP | 0 | 詳細 | |
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MB85R4M2TFN-G-ASE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 4MBIT 150NS 44TSOP | - | 834 | 詳細 |