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| Numero di parte | MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FRAM |
| Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 150ns |
| Tempo di accesso | 150ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.8 V ~ 3.6 V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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MB85R4001ANC-GE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 4MBIT 150NS 48TSOP | 0 | Dettagli | |
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MB85R4002ANC-GE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 4MBIT 150NS 48TSOP | 0 | Dettagli | |
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MB85R4M2TFN-G-ASE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 4MBIT 150NS 44TSOP | - | 834 | Dettagli |