DMT2004UFG-7

MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
DMT2004UFG-7 P1
DMT2004UFG-7 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Diodes Incorporated ~ DMT2004UFG-7

品番
DMT2004UFG-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 DMT2004UFG-7
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 24V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 70A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.45V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 53.7nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1683pF @ 15V
Vgs(最大) ±12V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.3W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 5 mOhm @ 12A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN

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