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| 品番 | DMT2P1K-F |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| キャパシタンス | 0.1µF |
| 公差 | ±10% |
| 電圧定格 - AC | 125V |
| 電圧定格 - DC | 250V |
| 誘電体 | Polyester, Metallized |
| ESR（等価直列抵抗） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | Radial |
| サイズ/寸法 | 0.819" L x 0.354" W (20.80mm x 9.00mm) |
| 高さ - 座席（最大） | 0.606" (15.40mm) |
| 終了 | PC Pins |
| リード間隔 | 0.669" (17.00mm) |
| アプリケーション | General Purpose |
| 評価 | - |
| 特徴 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | - | 120813 | 詳細 |
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DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | - | 136503 | 詳細 |
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DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | - | 127 | 詳細 |
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DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | - | 0 | 詳細 |
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | - | 0 | 詳細 |
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DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | - | 0 | 詳細 |
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DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | - | 111325 | 詳細 |
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DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | - | 0 | 詳細 |
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DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | - | 0 | 詳細 |
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DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | - | 0 | 詳細 |
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DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | - | 0 | 詳細 |
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DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | - | 0 | 詳細 |