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| Numero di parte | TPC8408,LQ(S |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.1A, 5.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Potenza - Max | 450mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TPC8.2AHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC | - | 0 | Dettagli |
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TPC8.2AHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC | - | 0 | Dettagli |
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TPC8.2AHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 12.1VC 124A TO277A | 0 | Dettagli | |
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TPC8.2AHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 12.1VC 124A TO277A | 0 | Dettagli | |
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TPC8.2HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC | - | 0 | Dettagli |
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TPC8.2HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC | - | 0 | Dettagli |
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TPC8012-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP | - | 0 | Dettagli |
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TPC8014(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | Dettagli | |
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TPC8018-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B | 0 | Dettagli | |
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TPC8021-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | Dettagli | |
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TPC8022-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B | 0 | Dettagli | |
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TPC8026(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | 0 | Dettagli |