IXTK120P20T

MOSFET P-CH 200V 120A TO-264
IXTK120P20T P1
IXTK120P20T P1
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IXYS ~ IXTK120P20T

Numero di parte
IXTK120P20T
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET P-CH 200V 120A TO-264
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- IXTK120P20T PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXTK120P20T
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 740nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 73000pF @ 25V
Vgs (massimo) -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 (IXTK)
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA

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