IXTK110N20L2

MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
IXTK110N20L2 P1
IXTK110N20L2 P1
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IXYS ~ IXTK110N20L2

Numero di parte
IXTK110N20L2
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- IXTK110N20L2 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXTK110N20L2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 55A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 (IXTK)
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA

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