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Fairchild/ON Semiconductor ~ HUFA75309P3

Numero di parte	HUFA75309P3
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 19A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	vista
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