HUFA75307T3ST

MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4
HUFA75307T3ST P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ HUFA75307T3ST

Numero di parte
HUFA75307T3ST
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- HUFA75307T3ST PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte HUFA75307T3ST
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223-4
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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