DMP2005UFG-13

MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
DMP2005UFG-13 P1
DMP2005UFG-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMP2005UFG-13

Numero di parte
DMP2005UFG-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- DMP2005UFG-13 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte DMP2005UFG-13
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 89A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4670pF @ 10V
Vgs (massimo) ±10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 15A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN

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