DMP2002UPS-13

MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
DMP2002UPS-13 P1
DMP2002UPS-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMP2002UPS-13

Numero di parte
DMP2002UPS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte DMP2002UPS-13
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 585nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12826pF @ 10V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN

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